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个人信息Personal Information
教授
硕士生导师
性别：女
毕业院校：大连理工大学
学位：博士
所在单位：物理学院
学科：等离子体物理
联系方式：0411-84707866
电子邮箱：xcli@dlut.edu.cn
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介质靶表面的充电效应对等离子体浸没离子注入过程中鞘层特性的影响
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论文类型：期刊论文
发表时间：2004-08-01
发表刊物：物理学报
收录刊物：SCIE、PKU、ISTIC、CSCD
卷号：53
期号：8
页面范围：2666-2669
ISSN号：1000-3290
关键字：等离子体浸没离子注入;脉冲鞘层;绝缘介质;充电效应
摘要：针对等离子体浸没离子注入技术在绝缘体表面制备硅薄膜工艺,采用一维脉冲鞘层模型描述介质靶表面的充电效应对鞘层厚度、注入剂量及靶表面电位等物理量的影响.数值模拟结果表明:随着等离子体密度的增高,表面的充电效应将导致鞘层厚度变薄、表面电位下降以及注入剂量增加,而介质的厚度对鞘层特性的影响则相对较小.