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Indexed by:期刊论文

Date of Publication:2003-04-25

Journal:红外与激光工程

Included Journals:PKU、ISTIC、CSCD

Volume:32

Issue:2

Page Number:144-147

ISSN No.:1007-2276

Key Words:半导体激光器;工作电流;波长;红移

Abstract:以2 W连续红外(980 nm)半导体激光器(InGaAs)和120 mW连续红外(980 nm,带制冷器与尾纤)半导体激光器(InGaAsP)为例,测量激光器输出光束的波长随工作电流变化的规律.实验结果表明:工作电流增加,光束波长向长波红移,斜率分别近似为0.374 nm/100 mA、0.220 nm/10 mA;工作电流大时的红移现象比电流小时明显.