Release Time:2019-03-10  Hits:

Indexed by: Journal Article

Date of Publication: 2007-06-15

Journal: 压电与声光

Included Journals: Scopus、CSCD、ISTIC、PKU

Volume: 29

Issue: 3

Page Number: 331-334

ISSN: 1004-2474

Key Words: 压电双晶片;PZT薄膜;水热合成法

Abstract: 用水热合成法在金属基板上制备了压电双晶片,该法简单,成本低.为了更好地研究双晶片的特性,利用扫描电镜(SEM)和X-射线衍射(XRD)技术,对PZT薄膜的特性进行了较为详细的研究.发现PZT 薄膜由平均尺寸约为 5 μm的PZT晶粒组成,其物相组成成分PbTiO3和PbZrO3的比值约为53/47,处在准同型相界附近.根据试验中测得数据,计算出了薄膜的平均密度;并建立了双晶片位移驱动模型,由该模型得到压电系数d31,并研究了双晶片的铁电性.