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论文类型：期刊论文

发表时间：2010-01-03

发表刊物：半导体技术

收录刊物：PKU、ISTIC、CSCD

卷号：35

期号：1

页面范围：1-7

ISSN号：1003-353X

关键字：HIT太阳能电池;PECVD;HWCVD

摘要：带有本征薄层的异质结(HIT)太阳能电池制备工艺温度低、转换效率高、高温特性好,是低价高效电池的一种.根据相关文献,遵循HIT电池发展的过程,从原理、结构、制备工艺等角度对其进行了深入分析,指出PECVD技术在制备HIT电池中存在的问题,并对HWCVD法制备高效HIT电池的前景进行了探讨,同时分析了a-Si:H/Si界面钝化、双面异质结结构、表面织构及栅线的优化设计等技术手段对制备高效HIT电池的重要性.