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Indexed by:期刊论文
Date of Publication:2002-12-30
Journal:仪器仪表学报
Included Journals:PKU、ISTIC
Issue:S1
Page Number:122-123
ISSN No.:0254-3087
Key Words:硅;二氧化硅;残余应力;微应变计
Abstract:借鉴工程力学中测量残余应力的盲孔法 ,给出了一种测量半导体氧化工艺中形成的硅—二氧化硅界面残余应力的微结构应变计 ,并对其测量结果作了讨论
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