一种测量Si/SiO_2界面残余应力的微结构应变计
Release Time:2019-03-10 Hits:
Indexed by: Journal Article
Date of Publication: 2002-12-30
Journal: 仪器仪表学报
Included Journals: ISTIC、PKU
Issue: S1
Page Number: 122-123
ISSN: 0254-3087
Key Words: 硅;二氧化硅;残余应力;微应变计
Abstract: 借鉴工程力学中测量残余应力的盲孔法 ,给出了一种测量半导体氧化工艺中形成的硅—二氧化硅界面残余应力的微结构应变计 ,并对其测量结果作了讨论