Hits:
Indexed by:会议论文
Date of Publication:2002-01-01
Page Number:122-123
Key Words:二氧化硅 残余应力 微应变计 硅片 测试方法
Abstract:借鉴工程力学中测量残余应力的盲孔法,给出了一种测量半导体氧化工艺中形成的硅一二氧化硅界面残余应力的微结构应变计,并对其测量结果作了讨论.
Pre One:微操作系统三维运动控制
Next One:用于微机械的形状记忆合金薄膜工艺研究
