Release Time:2019-03-10  Hits:

Indexed by: Conference Paper

Date of Publication: 2002-09-01

Key Words: 二氧化硅;残余应力;微应变计;硅片;测试方法

Abstract: 借鉴工程力学中测量残余应力的盲孔法,给出了一种测量半导体氧化工艺中形成的硅一二氧化硅界面残余应力的微结构应变计,并对其测量结果作了讨论.