Current position: Home >> Scientific Research >> Paper Publications

烷基取代聚噻吩的化学合成与光电性能研究进展

Release Time:2019-03-11  Hits:

Indexed by: Journal Article

Date of Publication: 2004-09-30

Journal: 功能高分子学报

Included Journals: CSCD、ISTIC、PKU

Volume: 17

Issue: 3

Page Number: 535-541

ISSN: 1008-9357

Key Words: 烷基聚噻吩 导电聚合物 光电性能

Abstract: 概述了烷基取代聚噻吩的三种合成方法,即Fe(Ⅲ)催化剂合成法、Ni(0)催化剂合成法和Cu/PdCl2催化剂合成法.介绍了烷基取代聚噻吩稀溶液和薄膜的光吸收、光发射性能,薄膜的热致变色性能及以这些材料为发光活性物质制作的发光二极管的发光性能,展望了烷基取代聚噻吩衍生物的合成与应用前景.

Prev One:含二氮杂萘酮结构高性能树脂的研究新进展

Next One:3-取代和3,4-二取代噻吩的合成与表征