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Indexed by:会议论文

Date of Publication:2017-05-27

Page Number:1

Key Words:MAPbI3;SnO2电子传输层;Mott-Schottky模型;内建电压

Abstract:我们利用一步法得到了效率>18%的MAPbI3平面太阳能电池。电池显示了高的开路电压(~1.12V,最高1.169V)。利用SnO2作为电子传输层的电池的电流-电压响应曲线具有可以忽略的回滞。电容分析(Mott-Schottky模型)显示室温下平面型器件(FTO/SnO2/MAPbI3/spiro/Au)的内建电压在~1.1V,钙钛矿层的p型给体掺杂浓度在6*1015cm-3。变温(240K-300K)实验表明,器件的内建电压在0K时可达3.8V(远超出其禁带宽度值)。这说明钙钛矿薄膜器件中内建电场受到界面富集的离子的强烈影响。