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场击穿型真空触发开关的控制器设计及时延特性研究

Release Time:2019-03-10  Hits:

Indexed by: Conference Paper

Date of Publication: 2005-04-20

Page Number: 49-52

Key Words: 真空触发开关;控制器;导通时延;时延精度

Abstract: 本文提出了一种新的TVS控制器的研制思路,并通过实验研究,获得控制器的触发能量与触发时延、触发精度的关系,可以指导高性能TVS控制器的设计与应用.控制器的触发能量可调,研究表明其导通时延和时延精度随控制器提供的触发能量的增加而迅速减小.在触发能量为1.6J时,导通时延可缩小为15.57μs,时延精度可达1.358μs.

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