Indexed by:期刊论文
Date of Publication:2010-02-15
Journal:金刚石与磨料磨具工程
Included Journals:Scopus、PKU、ISTIC
Volume:30
Issue:1
Page Number:5-9
ISSN No.:1006-852X
Key Words:化学机械抛光;硅片;材料去除机理
Abstract:本文根据铜CMP过程中表面材料的磨损行为,建立了铜CMP时的材料去除率构成成分模型,并通过材料去除率实验,得出了各机械、化学及其交互作用所引起的材料去除率及其作用率:当np=nw=200 r/min时,有最佳材料去除率,此时单纯的机械作用率为9.2%;单纯的化学作用率为仅为2.1%,抛光垫的机械与化学交互作用率为5.08%;磨粒的机械与化学交互作用率为83.6%. 通过对实验结果进行分析,可得如下结论:硅片化学机械抛光中,一定的参数下有一个最优的抛光速度;在最优的速度下,机械与化学之间交互作用达到平衡,这时可获得最高的材料去除率;硅片化学机械抛光过程是一个多变的动态过程,仅仅通过增加机械作用或化学作用不能获得理想的材料去除效果.本文的研究结果可为进一步研究硅片CMP时的材料去除机理提供理论参考依据.
Professor
Supervisor of Doctorate Candidates
Supervisor of Master's Candidates
Title : 国际磨粒技术学会（International Committee of Abrasive Technology, ICAT）委员，中国机械工程学会极端制造分会副主任、生产工程分会常务委员、微纳米制造技术分会常务委员，中国机械工程学会生产工程分会磨粒加工技术专业委员会副主任、切削加工专业委员会常委委员、精密工程与微纳技术专业委员会常委委员，中国机械工程学会特种加工分会超声加工技术委员会副主任，中国机械工程学会摩擦学分会微纳制造摩擦学专业委员会常务委员，中国机械工业金属切削刀具协会切削先进制造技术研究会常务理事、对外学术交流工作委员会副主任、切削先进制造技术研究会自动化加工技术与系统委员会副主任。
Gender:Male
Alma Mater:西北工业大学
Degree:Doctoral Degree
School/Department:机械工程学院
Discipline:Mechanical Manufacture and Automation. Mechatronic Engineering. Manufacturing Engineering of Aerospace Vehicle
Business Address:机械工程学院7191
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