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Indexed by:期刊论文

Date of Publication:2004-07-23

Journal:半导体技术

Included Journals:PKU、ISTIC、CSCD

Volume:29

Issue:7

Page Number:30-34

ISSN No.:1003-353X

Key Words:铜布线;化学机械抛光;碟形;侵蚀;超大规模集成电路

Abstract:铜的化学机械抛光(Cu-CMP)技术是ULSI多层金属布线结构制备中不可缺少的平坦化工艺.Cu-CMP后硅片表面的蝶形、侵蚀等平坦性缺陷将降低铜线的最终厚度和增大电阻率,从而降低器件性能和可靠性.而且可能进一步影响硅片的面内非均匀性(WIWUN),在多层布线中导致图案转移的不准确.本文介绍了对Cu-CMP平坦性的仿真、模拟和实验研究,并着重分析了碟形、侵蚀和WlWUN与抛光液、线宽和图案密度、抛光速度和载荷等相关参数的关系.