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Indexed by:期刊论文

Date of Publication:2005-07-15

Journal:润滑与密封

Included Journals:EI、PKU、ISTIC、Scopus

Issue:4

Page Number:77-80

ISSN No.:0254-0150

Key Words:ULSI;铜化学机械抛光;材料去除机理;腐蚀磨损

Abstract:以超大规模集成电路(ULSI)芯片多层互连结构制造中的关键平坦化工艺--铜化学机械抛光(Cu-CMP)为研究对象,针对Cu-CMP中存在的抛光液的化学腐蚀作用和磨料的机械磨损现象,采用腐蚀磨损理论分析了Cu-CMP材料去除机理.提出铜CMP的材料去除中存在着机械增强的化学腐蚀和化学增强的机械磨损,并分析了Cu-CMP的静态腐蚀材料去除、机械增强的腐蚀去除与化学增强的机械去除机理.