Indexed by:期刊论文
Date of Publication:2010-10-15
Journal:超硬材料工程
Volume:22
Issue:5
Page Number:1-4
ISSN No.:1673-1433
Key Words:化学抛光;材料去除;非均匀性
Abstract:化学机械抛光技术已成为超大规模集成电路制造中实现硅片全局平面化的实用技术和核心技术.CMP的最大问题之一是硅片材料去除的非均匀性,它是集成电路对硅片表面平坦化需求的一个重要指标.文章提出了硅片表面材料去除非均匀性计算公式,在CP-4实验用抛光机上进行了硅片化学机械抛光实验,并用美国ADE公司生产的WaferCheck-7200型非接触式电容厚度测量设备对单晶硅片的厚度进行高精度检测,经过计算,得出了不同抛光速度下硅片表面材料去除非均匀性的数据.为理解硅片CMP材料去除非均匀性形成机理,进一步揭示硅片CMP材料去除机理提供了理论依据.
Professor
Supervisor of Doctorate Candidates
Supervisor of Master's Candidates
Title : 国际磨粒技术学会（International Committee of Abrasive Technology, ICAT）委员，中国机械工程学会极端制造分会副主任、生产工程分会常务委员、微纳米制造技术分会常务委员，中国机械工程学会生产工程分会磨粒加工技术专业委员会副主任、切削加工专业委员会常委委员、精密工程与微纳技术专业委员会常委委员，中国机械工程学会特种加工分会超声加工技术委员会副主任，中国机械工程学会摩擦学分会微纳制造摩擦学专业委员会常务委员，中国机械工业金属切削刀具协会切削先进制造技术研究会常务理事、对外学术交流工作委员会副主任、切削先进制造技术研究会自动化加工技术与系统委员会副主任。
Gender:Male
Alma Mater:西北工业大学
Degree:Doctoral Degree
School/Department:机械工程学院
Discipline:Mechanical Manufacture and Automation. Mechatronic Engineering. Manufacturing Engineering of Aerospace Vehicle
Business Address:机械工程学院7191
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