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ULSI制造中铜CMP抛光液的技术分析

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Indexed by:期刊论文

Date of Publication:2007-05-03

Journal:半导体技术

Included Journals:PKU、ISTIC、CSCD

Volume:32

Issue:5

Page Number:382-386

ISSN No.:1003-353X

Key Words:化学机械抛光;抛光液;铜;技术分析

Abstract:对ULSI制造中的层间介质化学机械抛光的发展趋势和要求进行了讨论,分析了铜化学机械抛光的材料去除过程、影响因素和抛光液的重要作用,讨论了酸性和碱性两种铜抛光液的组成和一些组分的功能,对研究铜化学机械抛光的电化学手段进行了阐述和机理分析,指出了铜化学机械抛光今后的研究趋势和重点以及抛光液研究的发展方向.

Pre One:细粒度金刚石砂轮表面磨粒识别研究

Next One:分散剂对铜CMP材料去除率和表面粗糙度影响的实验研究