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Indexed by:期刊论文

Date of Publication:2006-03-30

Journal:半导体学报

Included Journals:EI、CSCD

Volume:27

Issue:3

Page Number:506-510

ISSN No.:0253-4177

Key Words:硅片;亚表面损伤;角度抛光;缺陷腐蚀;劈尖于涉

Abstract:提出了一种改进的角度抛光方法来测量硅片的亚表面损伤.其原理是:经过研磨和化学机械抛光后,起保护作用的陪片靠近胶黏剂的一端形成一个无损伤的、完整的劈尖,劈尖的棱边作为测量亚表面损伤的基准;角度抛光的倾斜角可通过劈尖上面产生的干涉条纹准确地测量得到.采用这种方法可以方便、准确地测量硅片由切割、研磨和磨削引起的亚表面损伤,其能够测量的最小损伤深度为几百纳米.