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教授
博士生导师
硕士生导师
任职 : 国际磨粒技术学会（International Committee of Abrasive Technology, ICAT）委员，中国机械工程学会极端制造分会副主任、生产工程分会常务委员、微纳米制造技术分会常务委员，中国机械工程学会生产工程分会磨粒加工技术专业委员会副主任、切削加工专业委员会常委委员、精密工程与微纳技术专业委员会常委委员，中国机械工程学会特种加工分会超声加工技术委员会副主任，中国机械工程学会摩擦学分会微纳制造摩擦学专业委员会常务委员，中国机械工业金属切削刀具协会切削先进制造技术研究会常务理事、对外学术交流工作委员会副主任、切削先进制造技术研究会自动化加工技术与系统委员会副主任。
性别：男
毕业院校：西北工业大学
学位：博士
所在单位：机械工程学院
学科：机械制造及其自动化. 机械电子工程. 航空宇航制造工程
办公地点：机械工程学院7191
电子邮箱：kangrk@dlut.edu.cn
Residual stress analysis on silicon wafer surface layers induced by ultra-precision grinding
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论文类型：期刊论文
发表时间：2011-06-01
发表刊物：RARE METALS
收录刊物：SCIE、EI、CSCD
卷号：30
期号：3
页面范围：278-281
ISSN号：1001-0521
关键字：silicon wafers; grinding; residual stresses; Raman spectroscopy
摘要：Grinding residual stresses of silicon wafers affect the performance of IC circuits. Based on the wafer rotation ultra-precision grinding machine, the residual stress distribution along grinding marks and ground surface layer depth of the ground wafers are investigated using Raman microspectroscopy. The results show that the ground wafer surfaces mainly present compressive stress. The vicinity of pile-ups between two grinding marks presents higher a compressive stress. The stress value of the rough ground wafer is the least because the material is removed by the brittle fracture mode. The stress of the semi-fine ground wafer is the largest because the wafer surface presents stronger phase transformations and elastic-plastic deformation. The stress of the fine ground wafer is between the above two. The strained layer depths for the rough, semi-fine, and fine ground wafers are about 7.6 mu m, 2.6 mu m, and 1.1 mu m, respectively. The main reasons for generation of residual stresses are phase transformations and elastic-plastic deformation.