Release Time:2019-03-10  Hits:

Indexed by: Journal Article

Date of Publication: 2008-02-25

Journal: 功能材料与器件学报

Included Journals: CSCD、ISTIC、PKU

Volume: 14

Issue: 1

Page Number: 59-64

ISSN: 1007-4252

Key Words: SnO2;密度泛函理论;电子结构;能隙

Abstract: 应用第一性原理DFT(密度泛函理论)研究了具有(1×1)和(2×1)对称性的SnO2(110)氧化表面、还原表面和缺陷表面的几何结构与电子结构,重点分析了表面氧空穴(O vacancy)对表面电子结构的影响以及对气体分子吸附的影响.研究结果表明,由于表面空穴的存在,SnO2(110)表面能隙中都出现了明显的表面态,由于表面氧的流失而留下来的电荷是产生这些表面态的主要原因,这些电荷主要集中在Sn上和附近的空穴中,与这些电荷相关的轨道是氧化物表面吸附研究的关键.