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论文类型：期刊论文

发表时间：2007-09-15

发表刊物：光学精密工程

收录刊物：EI、PKU、ISTIC、CSCD、Scopus

卷号：15

期号：9

页面范围：1377-1382

ISSN号：1004-924X

关键字：SU-8;内应力测量;基片曲率法;Stoney 公式

摘要：在对基片曲率法常用的Stoney公式进行必要修正的基础上,提出了适合计算SU-8胶层内应力的理论模型,并采用轮廓法直观地测量了内应力引起的基底曲率的变化.通过ANSYS仿真揭示了基片直径,胶层厚度及后烘温度三者对基片曲率的影响.仿真结果表明:后烘温度是影响胶层内应力的主要因素.实验测量了后烘温度分别为55℃、70℃和85℃三种条件下的SU-8胶层的内应力.结果表明:降低后烘温度能有效地减小SU-8胶层的内应力,实验测量值与仿真计算值基本吻合.内应力的测量为SU-8胶层内应力的定量研究奠定了基础.