Release Time:2019-03-10  Hits:

Indexed by: Journal Article

Date of Publication: 2007-09-26

Journal: 吉林大学学报（理学版）

Included Journals: CSCD、ISTIC

Volume: 45

Issue: 5

Page Number: 822-826

ISSN: 1671-5489

Key Words: 声表面波滤波器;金刚石;ZnO薄膜;金属有机化合物气相沉积

Abstract: 采用金属有机化合物气相沉积(MOCVD)两步生长法在自持化学气相沉积(CVD)金刚石厚膜的成核面上制备ZnO薄膜, 并研究了薄膜的生长特性和电学特性. 结果表明, 在基片温度为600 ℃时沉积得到的ZnO薄膜表面均匀, 取向较一致, 为c轴取向生长. 其载流子迁移率为3.79 cm2/(V·s).