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Indexed by:期刊论文
Date of Publication:2007-09-26
Journal:吉林大学学报（理学版）
Included Journals:ISTIC、CSCD
Volume:45
Issue:5
Page Number:822-826
ISSN No.:1671-5489
Key Words:声表面波滤波器;金刚石;ZnO薄膜;金属有机化合物气相沉积
Abstract:采用金属有机化合物气相沉积(MOCVD)两步生长法在自持化学气相沉积(CVD)金刚石厚膜的成核面上制备ZnO薄膜, 并研究了薄膜的生长特性和电学特性. 结果表明, 在基片温度为600 ℃时沉积得到的ZnO薄膜表面均匀, 取向较一致, 为c轴取向生长. 其载流子迁移率为3.79 cm2/(V·s).
