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直流电弧法制备SiC@C核壳型纳米粒子及吸波性能研究

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Indexed by:期刊论文

Date of Publication:2016-01-01

Journal:兵器材料科学与工程

Included Journals:PKU、ISTIC、CSCD

Volume:39

Issue:6

Page Number:78-82

ISSN No.:1004-244X

Key Words:直流电弧法; 纳米SiC@C复合粒子; 偶极子极化; 介电性能

Abstract:采用等离子直流电弧法,在氢气、氩气、甲烷分压分别为10、20、7.5
   kPa的混合气氛下制备纳米SiC@C核壳型复合粒子。利用XRD、Raman对纳米粒子的成分进行表征,用TEM对其形貌进行分析。将纳米SiC@C复
   合粒子均匀分散在石蜡基体中,在100 MHz~18 GHz频率内测定其复介电常数。结果表明,当电磁波吸收材料匹配厚度为8
   mm、测试频率为9.49 GHz时,最大反射损耗能达到-27
   dB。对SiC介电特性分析进一步表明,SiC中的C空位(V_C)和Si空位(V_(Si))产生的偶极子发生的弛豫过程和SiC缺陷带来的电导率变化
   是影响介电性能的关键因素。

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