Title of Paper:外电场辅助化学气相沉积方法制备网格状β-Ga_2O_3纳米线及其特性研究

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Date of Publication:2018-10-30

Journal:物理学报

Issue:21

Page Number:408-413

ISSN No.:1000-3290

Key Words:外电场;化学气相沉积;β-Ga_2O_3;纳米线

Abstract:利用外电场辅助化学气相沉积(CVD)方法,在蓝宝石衬底上制备出了由三组生长方向构成的网格状β-Ga_2O_3纳米线.研究了不同外加电压大小对β-Ga_2O_3纳米线表面形貌、晶体结构以及光学特性的影响.结果表明:外加电压的大小对样品的表面形貌有着非常大的影响,有外加电场作用时生长的β-Ga_2O_3纳米线取向性开始变好,只出现了由三组不同生长方向构成的网格状β-Ga_2O_3纳米线;并且随着外加电压的增加,纳米线分布变得更加密集、长度明显增长.此外,采用这种外电场辅助的CVD方法可以明显改善样品的结晶和光学质量.