Release Time:2019-03-10  Hits:

Indexed by: Journal Article

Date of Publication: 2014-06-25

Journal: 材料导报

Included Journals: CSCD、ISTIC、PKU

Volume: 28

Issue: 12

Page Number: 132-134,140

ISSN: 1005-023X

Key Words: 第一性原理;多晶硅;杂质;态密度;键合

Abstract: B和O是太阳能级多晶硅中的主要非金属杂质,它们经常以B-O原子对的形式存在.利用第一性原理计算方法,通过对比B-O对在真空、B2 O3和硅中的键合状态,理解Si环境对B-O键合特征的影响.计算结果表明,在这3种原子环境中,O原子的s和p轨道对键合的贡献都比B原子的s和p轨道大得多.其中,在真空中主要是O的2p轨道参与成键,而在氧化物和硅中O原子的2s轨道和2p轨道都参与成键.在硅中,由于B-O间距较大,以及与Si键合导致B-O键合电子态密度的降低,使B-O对在硅中的结合强度低于在氧化物和真空中.