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Indexed by:期刊论文

Date of Publication:2012-03-20

Journal:材料工程

Included Journals:EI、PKU、ISTIC、CSCD、Scopus

Issue:3

Page Number:70-73

ISSN No.:1001-4381

Key Words:多孔硅;电化学腐蚀;吸杂性能;电阻率

Abstract:多孔硅吸杂是减少晶体硅中杂质和缺陷,提高太阳能电池转换效率的有效方法.采用电化学腐蚀方法在单晶硅片上制备多孔硅,通过观察多孔硅的形貌、结构及单晶硅片的电阻率变化,研究不同电流密度制备的多孔硅对吸杂效果的影响,并从多孔硅的结构出发探究多孔硅吸杂的机理.结果表明,随电流密度增加,孔隙率明显增加,多孔硅在电流密度为100mA/cm2时,孔隙率最大;电流密度越大,多孔硅伴随所产生的弹性机械应力增加,晶格常数相应增加,这两个因素都有利于缺陷和金属杂质在多孔硅层-基底界面处迁移和富集,导致单晶硅吸杂后电阻率增大.