论文名称：升级冶金级Si衬底上ECR-PECVD沉积多晶Si薄膜
论文类型：期刊论文
发表刊物：半导体技术
收录刊物：PKU、ISTIC、CSCD
卷号：33
期号：2
页面范围：117-120
ISSN号：1003-353X
关键字：硅衬底;电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积;多晶硅薄膜
摘要：成功地应用电子回旋共振微波等离子体增强化学气相沉积(ECR-PECVD)法在升级冶国家重点实验室,辽宁大连 116024;2.锡根大学材料工程研究所,德国锡根 57076)金级Si衬底上175℃低温条件下沉积了一层优质多晶Si薄膜.研究了压强、流量比对多晶Si薄膜质量的影响,并用Raman、RHEED、SEM、XRD对薄膜结晶性、晶粒大小及显微组织结构进行了表征.发现在恒定气压下,结晶质量随流量比增大先变好后变差,即存在最佳流量比,0.16Pa对应10:5,而0.4 Pa对应10:6.8.
发表时间：2008-02-03