Si(001)基片上反应射频磁控溅射ZnO薄膜的两步生长方法
Release Time:2019-03-11 Hits:
Indexed by: Journal Article
Date of Publication: 2007-04-12
Journal: 物理学报
Included Journals: CSCD、ISTIC、PKU、SCIE
Volume: 56
Issue: 04
Page Number: 2369-2376
ISSN: 1000-3290
Key Words: ZnO薄膜;反应射频磁控溅射;两步生长;形貌分析
Abstract: 利用反应射频磁控溅射技术,采用两步生长方法制备了ZnO薄膜,探讨了基片刻蚀时间和低温过渡层沉积时间对ZnO薄膜生长行为的影响.研究结果表明,低温ZnO过渡层的沉积时间所导致的薄膜表面形貌的变化与过渡层在Si(001)表面的覆盖度有关.当低温过渡层尚未完全覆盖基片表面时,ZnO薄膜的表面岛尺度较小、表面粗糙度较大,薄膜应力较大;当低温过渡层完全覆盖Si(001)基片后,ZnO薄膜的表面岛尺度较大、表面粗糙度较小,薄膜应力较小.基片刻蚀时间对薄膜表面形貌的影响与低温过渡层的成核密度有关.随着刻蚀时间的增加,ZnO薄膜的表面粗糙度逐渐下降,表面形貌自仿射结构的关联长度逐渐减小.