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Indexed by: Conference Paper

Date of Publication: 2011-05-17

Page Number: 1

Key Words: HfTaO薄膜;磁控溅射;光学性能;热学稳定性

Abstract: 随着超大规模集成电路集成度的提高,半导体器件的特征尺寸按摩尔定律不断缩小。高性能CMOS器件的栅介质层等效氧化物厚度(EOT)会缩小到1nm以下,传统的SiO2栅介质受隧穿效应的影响,栅漏电流过大。因此需要寻找新