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反应射频磁控溅射法制备HfTaO薄膜的结构和光学性能

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Indexed by:会议论文

Date of Publication:2011-05-17

Page Number:1

Key Words:HfTaO薄膜;磁控溅射;光学性能;热学稳定性

Abstract:随着超大规模集成电路集成度的提高,半导体器件的特征尺寸按摩尔定律不断缩小。高性能CMOS器件的栅介质层等效氧化物厚度(EOT)会缩小到1nm以下,传统的SiO2栅介质受隧穿效应的影响,栅漏电流过大。因此需要寻找新

Pre One:Structural and optical properties of Mn-doped ZnO thin films by RF magnetron sputtering

Next One:沉积温度对N掺杂Cu_2O薄膜生长及光学特性的影响