Title of Paper:基于CMOS工艺的双层非制冷热敏电阻型红外探测器

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Date of Publication:2014-01-01

Journal:光电子·激光

Included Journals:Scopus、EI、PKU、CSCD

Volume:25

Issue:5

Page Number:845-850

ISSN No.:1005-0086

Key Words:CMOS红外探测器; 非制冷红外探测器; 低成本红外探测器; 多牺牲层; 双层红外探测器

Abstract:采用0.5mum标准CMOS工艺和微机械加工工艺,设计并制作了低成本双层非制冷热敏电阻型红外探测器。探测器采用隐藏桥腿式微桥结构,使用表面牺牲层
   技术实现,其中包括Al、W
   和Si3种牺牲层材料。CMOS工艺加工完成后,双层微桥结构的微机械加工过程只需进行湿法腐蚀即可,成本较低。对双层红外探测器的热性能和光电特性进行
   测试,其热导为1.96*10~(-5) W/K,热容为2.23*10~(-8)
   J/K,热时间常数为1.14ms。当红外辐射调制频率为10Hz时,双层红外探测器的电压响应率为2.54*10~4
   V/W,探测率为1.6*10~8 cm·Hz~(1/2)/W。