Title of Paper:基于CMOS工艺钨微测辐射热计阵列集成芯片的设计与制作

Hits:

Date of Publication:2014-06-15

Journal:传感技术学报

Included Journals:Scopus、PKU、ISTIC、CSCD

Volume:27

Issue:6

Page Number:725-729

ISSN No.:1004-1699

Key Words:CMOS红外探测器;钨微测辐射热计;表面牺牲层技术;低成本红外探测器;红外焦平面阵列

Abstract:采用0.5μm标准CMOS工艺和微机械加工工艺,设计并制作了低成本4×4钨微测辐射热计阵列集成芯片。阵列中每个钨微测辐射热计均由微悬桥结构和钨热敏电阻组成,CMOS读出电路集成在阵列下方。微悬桥结构由表面牺牲层技术实现,不需要任何的光刻工艺。钨微测辐射热计像元尺寸为100μm×100μm,填充因子为20%。测试结果表明,在真空环境下,钨微测辐射热计等效热导为1.31×10-4 W/K,等效热容为1.74×10-7 J/K,热时间常数为1.33 ms。当红外光源的斩波频率为10 Hz时,钨微测辐射热计的电压响应率为1.91×103 V/W,探测率为1.88×107 cm·Hz1/2/W。