段玉平
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论文类型:期刊论文
发表时间:2013-01-15
发表刊物:真空科学与技术学报
收录刊物:EI、PKU、ISTIC、CSCD、Scopus
卷号:33
期号:1
页面范围:54-60
ISSN号:1672-7126
关键字:反应磁控溅射;TaN薄膜;气压;偏压;力学性能
摘要:采用电子回旋共振增强磁控溅射在不锈钢基体上制备六方相TaN薄膜,并研究了气压及偏压对TaN薄膜结构、力学性能的影响.利用X射线衍射、扫描电镜、原子力显微镜分析薄膜化学结构及形貌,利用纳米压痕、划痕实验仪对薄膜力学性能进行测定.研究表明,制备气压上升影响六方TaN相择优取向,气压、Ar/N2流量比及偏压改变对TaN薄膜力学性能有较大影响.实验证明在1.1×10-1 pa,偏压100 V下制备的TaN薄膜具有最高硬度32.4 GPa,最高结合力极限载荷27N.