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    段玉平

    • 教授     博士生导师   硕士生导师
    • 主要任职:国际教育学院院长、直属党支部书记、留学生办公室主任
    • 其他任职:辽宁省凝固控制与数字化制备技术重点实验室副主任
    • 性别:男
    • 毕业院校:大连理工大学
    • 学位:博士
    • 所在单位:材料科学与工程学院
    • 学科:材料加工工程
    • 办公地点:铸造中心213
    • 联系方式:0411-84708446
    • 电子邮箱:duanyp@dlut.edu.cn

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    气压及偏压对磁控溅射TaN薄膜力学性能影响

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    论文类型:期刊论文

    发表时间:2013-01-15

    发表刊物:真空科学与技术学报

    收录刊物:EI、PKU、ISTIC、CSCD、Scopus

    卷号:33

    期号:1

    页面范围:54-60

    ISSN号:1672-7126

    关键字:反应磁控溅射;TaN薄膜;气压;偏压;力学性能

    摘要:采用电子回旋共振增强磁控溅射在不锈钢基体上制备六方相TaN薄膜,并研究了气压及偏压对TaN薄膜结构、力学性能的影响.利用X射线衍射、扫描电镜、原子力显微镜分析薄膜化学结构及形貌,利用纳米压痕、划痕实验仪对薄膜力学性能进行测定.研究表明,制备气压上升影响六方TaN相择优取向,气压、Ar/N2流量比及偏压改变对TaN薄膜力学性能有较大影响.实验证明在1.1×10-1 pa,偏压100 V下制备的TaN薄膜具有最高硬度32.4 GPa,最高结合力极限载荷27N.