Release Time:2019-03-10  Hits:

Indexed by: Journal Article

Date of Publication: 2008-12-15

Journal: 机械工程学报

Included Journals: CSCD、ISTIC、PKU、EI、Scopus

Volume: 44

Issue: 12

Page Number: 215-220,225

ISSN: 0577-6686

Key Words: 软脆功能晶体;CdZnTe;化学机械抛光;纳米球抛光液

Abstract: 采用直径为2～5 μm α型Al2O3研磨剂和自行研制的均匀分布的5 nm抛光球抛光液,进行研磨-机械抛光-化学机械抛光新工艺对Cd0.9Zn0.1Te(111)、Cd0.96Zn0.04Te(110)和Cd0.96Zn0.04Te(111)单晶片进行了精密抛光研究,并对Cd0.96Zn0.04Te(111)单晶片采用研磨-机械抛光-化学腐蚀传统加工方法进行了对比研究.采用传统加工方法加工的Cd0.96Zn0.04Te(111)表面有很多的腐蚀沟、嵌入硬质颗粒和较大划痕;而采用新工艺后Cd0.9Zn0.1Te(111)单晶片表面光滑,无加工缺陷; Cd0.96Zn0.04Te(110)表面光滑,无任何嵌入硬质颗粒,有较浅的腐蚀坑和轻微的划痕;Cd0.96Zn0.04Te(111)表面光滑,无任何嵌入硬质颗粒、腐蚀坑,有非常少的极轻微的隐约可见的小划痕.Cd0.9Zn0.1Te(111)、Cd0.96Zn0.04Te(110)和Cd0.96Zn0.04Te(111)单晶片表面化学机械抛光后表面粗糙度Ra分别为2.196 nm,3.145 nm,3.499 nm.