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论文类型：期刊论文

发表时间：2019-01-01

发表刊物：硬质合金

卷号：36

期号：4

页面范围：283-288

ISSN号：1003-7292

关键字：SiC纳米线;分子动力学模拟;重新键合;势能

摘要：一维纳米材料的自愈合对于工业应用有着重要的意义,而晶体SiC纳米线则是一种拥有优异性能一维纳米材料.基于分子动力学方法,采用Tersoff势函数,对半径25 (A),长150 (A)的晶体SiC纳米线进行拉伸模拟,提取单个Si原子的位置和势能变化,发现原子断键后会形成悬键,并观察到了重新键合的现象;之后使纳米线完成了断裂表面的接触,发现了C-Si和Si-Si原子对间重新键合的现象,得到了自愈合后的纳米线.通过对单原子的势能变化进行分析,发现重新键合后的原子势能会降低,而系统为了达到稳定状态,会将悬键的势能驱动到最低,重新键合则是达到该状态的最有效路径,SiC纳米线也因此完成了自愈合.