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Indexed by:期刊论文

Date of Publication:2015-08-30

Journal:机电技术

Issue:4

Page Number:117-120,126

ISSN No.:1672-4801

Key Words:Parylene C;图形化刻蚀;压电喷头;结合强度

Abstract:为了对压电喷头进行有效防护，采用Parylene C作为保护层，对Parylene C的沉积厚度、图形化和与基底结合强度进行了实验研究。当Parylene C保护层的沉积厚度在450 nm至1μm时，能够满足Parylene C的耐压要求，且对压电单元振动位移的影响较小。采用氧等离子体刻蚀的方法对Parylene C进行图形化刻蚀，得到其刻蚀速率与刻蚀功率的变化关系。采用硅烷偶联剂预处理基底表面后，Parylene C与基底具有较强的结合强度。