纳米硅薄膜低温光致发光
Release Time:2019-03-10 Hits:
Indexed by: Journal Article
Date of Publication: 1998-01-01
Journal: 固体电子学研究与进展
Included Journals: CSCD、PKU
Volume: 18
Issue: 1
Page Number: 38
ISSN: 1000-3819
Key Words: 纳米硅薄膜; 光致发光; 化学气相淀积; 等离子体
Abstract: 以高氢稀释硅烷为反应气源，用PECVD方法淀积了nc－Si：H薄膜。未经任何后处理过程，在低温77K下观察到光致发光，并对薄膜样品进行了Raman散射，红外吸收谱，氢氧含量以及光学吸收系数分析测试。还对nc－Si：H薄膜低温光致发光的机理进行了讨论。