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Indexed by:期刊论文
Date of Publication:1998-01-01
Journal:固体电子学研究与进展
Included Journals:PKU、CSCD
Volume:18
Issue:1
Page Number:38
ISSN No.:1000-3819
Key Words:纳米硅薄膜; 光致发光; 化学气相淀积; 等离子体
Abstract:以高氢稀释硅烷为反应气源，用PECVD方法淀积了nc－Si：H薄膜。未经任何后处理过程，在低温77K下观察到光致发光，并对薄膜样品进行了Raman散射，红外吸收谱，氢氧含量以及光学吸收系数分析测试。还对nc－Si：H薄膜低温光致发光的机理进行了讨论。
