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Indexed by:期刊论文
Date of Publication:1996-01-01
Journal:大连理工大学学报
Included Journals:PKU、CSCD
Volume:36
Issue:2
Page Number:170
ISSN No.:1000-8608
Key Words:分子束外延; 位错/热退火; 热松驰
Abstract:使用分子束外延（ＭＢＥ）技术制备了应变锗硅外延薄膜，并在不同温度下对样品等时热退火处理；采用侧面透射电子显微镜（ＸＴＥＭ）对退火样品进行观测，获得有关高温退火后锗硅外延层与硅衬底界面的位错生长情况，采用高分辨电子显微镜（ＨＲＥＭ）观测样品退火以前的界面显微结构，表明样品在８５０℃退火温度时出现的位错生长是一种混合型热松弛机理．
