Release Time:2019-03-10  Hits:

Indexed by: Journal Article

Date of Publication: 1996-01-01

Journal: 大连理工大学学报

Included Journals: CSCD、PKU

Volume: 36

Issue: 2

Page Number: 170

ISSN: 1000-8608

Key Words: 分子束外延; 位错/热退火; 热松驰

Abstract: 使用分子束外延（ＭＢＥ）技术制备了应变锗硅外延薄膜，并在不同温度下对样品等时热退火处理；采用侧面透射电子显微镜（ＸＴＥＭ）对退火样品进行观测，获得有关高温退火后锗硅外延层与硅衬底界面的位错生长情况，采用高分辨电子显微镜（ＨＲＥＭ）观测样品退火以前的界面显微结构，表明样品在８５０℃退火温度时出现的位错生长是一种混合型热松弛机理．