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Indexed by:期刊论文
Date of Publication:1993-01-01
Journal:大连理工大学学报
Included Journals:PKU、CSCD
Volume:33
Issue:4
Page Number:482
ISSN No.:1000-8608
Key Words:多晶硅;界面层;多晶硅发射极晶体管
Abstract:通过对多晶硅发射极晶体管（ＰＥＴ）的多晶硅及界面层导电特性的分析， 得到单晶发射区边界上电流密度与少子浓度之间的关系式，并以此为自洽的 边界条件，在单晶区数值求解一组描述晶体管电学特性的微分方程，得到晶 体管内部电势分布和载流子分布以及ＰＥＴ的端电流特性．
