Current position: Home >> Scientific Research >> Paper Publications

亚毫微秒速度高均匀性多元逻辑电路的研制

Release Time:2019-03-11  Hits:

Indexed by: Journal Article

Date of Publication: 1992-01-01

Journal: 大连理工大学学报

Included Journals: CSCD、PKU

Volume: 32

Issue: 6

Page Number: 644

ISSN: 1000-8608

Key Words: 亚毫微秒速度; 高均匀性; 多元逻辑电路

Abstract: 就如何同时实现多元逻辑电路中线性“与或”门的高速和高均匀性进行 了理论分析和实验验证。理论分析给出了平均延迟时间和均匀性的函数表达 式;指出在影响电路速度和均匀性的诸多因素中,复合晶体管的发射结面积 是一个关键因素,并依此进行了样品电路的优化设计和工艺制造。测试结果 表明,单门平均延迟时间为 0.22 ns,功耗延迟积为 0.55 pJ.在输入一致条 件下(0~4 V),各单门电路之间输出不均匀性误差小于等于4 mV.

Prev One:多晶硅发射极晶体管的数值分析及模拟

Next One:不连续类氧化层界面多晶硅发射极晶体管理论模型