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Indexed by:期刊论文
Date of Publication:1992-01-01
Journal:半导体学报
Included Journals:CSCD
Volume:13
Issue:9
Page Number:528
ISSN No.:0253-4177
Key Words:氧化层; 界面; 多晶硅; 晶体管; 模型
Abstract:本文提出了一个不连续类氧化层界面多晶硅发射极晶体管理论模型,根据多晶/单晶硅界面的性质空穴分别以隧道方式或热发射方式通过界面的不同部位.计算机模拟的结果得到了类氧化层界面的连续性、多晶硅膜厚、类氧化层两边的界面态密度、类氧化层厚度和多晶/单晶硅界面杂质浓度峰值等参数与多晶硅发射极晶体管(PET)电学特性的关系.
