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个人信息Personal Information
高级工程师
硕士生导师
任职 : 微电子实验教学中心主任
性别：男
毕业院校：大连理工大学
学位：博士
所在单位：集成电路学院
学科：微电子学与固体电子学. 光学工程
办公地点：辽宁省大连市大连经济技术开发区图强街321号大连理工大学开发区校区教学楼C区503室
联系方式：0411-62273210
电子邮箱：shjiank@dlut.edu.cn
Dominant UV emission from p-MgZnO/n-GaN light emitting diodes
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论文类型：期刊论文
发表时间：2012-01-01
发表刊物：OPTICAL MATERIALS EXPRESS
收录刊物：Scopus、SCIE、EI
卷号：2
期号：1
页面范围：38-44
ISSN号：2159-3930
摘要：The authors report on the fabrication of p-Mg(0.1)Zn(0.9)O/n-GaN light emitting diodes (LEDs). Under forward bias, dominant ultraviolet (UV) electroluminescence is detected within 360-380 nm caused by near band edge (NBE) radiative recombination from both n-GaN and p-Mg(0.1)Zn(0.9)O. It is worth noting that the intensity ratio of UV-NBE/visible-DLE reaches up to 50, which indicates the potential applications of this structure in the short wavelength LEDs. (C) 2011 Optical Society of America