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采用原位反应法在石墨坩埚表面制备SiC涂层

Release Time:2019-03-11  Hits:

Indexed by: Journal Article

Date of Publication: 2014-01-01

Journal: 机械工程材料

Included Journals: CSCD、ISTIC、PKU

Volume: 38

Issue: 6

Page Number: 50-55

ISSN: 1000-3738

Key Words: 原位反应; SiC涂层; 石墨坩埚

Abstract: 通过原位反应在石墨坩埚切片表面成功制备了 SiC涂层,并对其进行了循环热氧化试验,研究了
   SiC涂层的形成机理以及烧结温度和时间对涂层厚度的影响,并评价了涂层对提高石墨抗热氧化性及抗热冲击性的作用。结果表明:原位反应制备的SiC涂层厚
   度较为均匀;不同温度下的原位反应由不同的动力学过程控制;当温度接近硅熔点时,长时间加热能显著增加SiC涂层的厚度;烧结温度越高,SiC涂层的厚度
   越大;石墨表面的SiC涂层能够提高石墨基体的抗热氧化及抗热冲击性,且涂层厚度越大,作用越显著。

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