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Indexed by:期刊论文
Date of Publication:2017-10-30
Journal:功能材料
Included Journals:CSCD
Volume:48
Issue:10
Page Number:10154-10158
ISSN No.:1001-9731
Key Words:HfO2薄膜;相变;钇含量;膜厚;溶胶-凝胶
Abstract:二氧化铪(HfO2)是广泛应用于微电子器件制备的电介质绝缘材料,其高介电系数四方相或立方相的稳定受掺杂元素含量和薄膜厚度的共同影响.采用纯水基溶胶-凝胶法在低阻硅基底上制备不同厚度的钇掺杂HfO2薄膜,通过对薄膜晶相结构的X射线衍射分析,明确了四方/立方相在室温下稳定的临界钇掺杂量和临界膜厚条件,并对薄膜介电系数随晶相结构的演变以及漏电流进行了测试分析,研究结果对于HfO2材料的微纳电容器件应用具有重要参考价值.
