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Indexed by:会议论文
Date of Publication:2010-10-25
Page Number:447-449
Key Words:金属有机化学气相沉积;MOS结构;氧化锌发光器件
Abstract:用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法,制备了Au/MgO/ZnO/MgO/ITO以及Au/MgO/ZnO/ITO两种基于MOS结构的发光器件。两种器件的伏安特性曲线都表现出典型的二极管整流特性,正向开启电压约为5V。采用安德森模型画出了两种器件在正向偏压下的能带图。从能带图出发,通过对两种结构的对比,阐述了其电致发光机理。对比了两种结构器件在电注入情况下的发光光谱,发现MgO绝缘层的引入可以显著提高器件的紫外发光效率。
