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Indexed by:会议论文

Date of Publication:2010-10-25

Page Number:426-428

Key Words:MOCVD方法;异质结;Ⅰ-Ⅴ特性;电致发光

Abstract:采用金属有机化学汽相沉积(MOCVD)方法在p-Si(111)衬底上制备出具有Zn1-xMgxO电子阻挡层的p-Si/Zn1-xMgxO/n-ZnO异质结器件。电流-电压(Ⅰ-Ⅴ)测试结果表明,该型异质结器件具有良好的p-n结特性,其开启电压为3.5V,反向击穿电压约为-8.0V。在正向偏压下,器件的电致发光(EL)谱包括紫外和可见两部分,它们分别是由ZnO一侧的近带边和深能级上的辐射复合引起的。相比于传统的p-Si/n-ZnO结构,Zn1-xMgxO(x=0.1)阻挡层的引入,使得异质结的电致发光效率有了很大的提高。并通过ZnO的光致发光(PL)谱对异质结器件的发光机制进行了分析。