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氧源对氧化锌薄膜基本性质的影响

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Indexed by:会议论文

Date of Publication:2010-10-25

Page Number:362-364

Key Words:氧化锌;MOCVD方法;氧源

Abstract:采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法,分别以高纯O2和NO作为氧源,在c面蓝宝石衬底上生长ZnO薄膜。XRD测试结果显示,ZnO薄膜都为(0002)面单一取向;但相较于使用O2氧源,改用NO氧源后,ZnO薄膜的晶体质质量得到了提高.(0002)面衍射峰的半峰宽由0.201°减小到0.192°,晶粒平均尺寸则由40.2皿增大到42.8nm。SEM测试结果显示,采用NO作氧源时,ZnO薄膜内的晶粒间界明显消除。同时低温PL测试结果表明,由于晶体质量的提高,使得采用NO氧源生长出的ZnO薄膜的紫外发光效率显著增强。

Pre One:基于p-Si/Zn1-xMgxO/n—ZnO异质结发光器件的研究

Next One:ZnO-Based Transparent Thin-Film Transistors with MgO Gate Dielectric Grown by in-situ MOCVD