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Indexed by:期刊论文

Date of Publication:2012-05-15

Journal:发光学报

Included Journals:EI、PKU、ISTIC、CSCD、Scopus

Volume:33

Issue:5

Page Number:514-518

ISSN No.:1000-7032

Key Words:As掺杂;p-ZnO/n-SiC;电致发光;金属有机化学汽相沉积

Abstract:采用光辅助金属有机化学汽相沉积( PA-MOCVD)法在n-SiC(6H)衬底上制备出As掺杂的p型ZnO 薄膜,并制备出相应的p-ZnO∶ As/n-SiC异质结器件.X射线衍射(XRD)和光致发光(PL)测试表明,ZnO薄膜具有较好的结构和光学特性.电流-电压(I-V)测试结果表明,该型异质结器件具有良好的整流特性,开启电压为5.0V,反向击穿电压约为-13 V.正向偏压下,器件的电致发光(EL)谱表现出两个分别位于紫外和可见光区域的发光峰,通过和ZnO、SiC的PL谱对照,证实异质结器件的发光峰来源于ZnO侧的辐射复合.