大连理工大学主页平台管理系统姜大川--中文主页-- 电子束熔炼时间对多晶硅杂质去除效果研究

电子束熔炼时间对多晶硅杂质去除效果研究: 点击次数：; 论文类型：会议论文; 发表时间： 2009-10-23; 页面范围： 96-97; 关键字：电子束熔炼;熔炼时间;太阳能级硅;杂质去除; 摘要：采用电子束熔炼对98.8％的工业硅进行提纯，研究电子束熔炼参数的变化对各种杂质元素的去除效果，同时分析熔炼后杂质元素在硅锭上的分布状态。实验结果表明。电子束熔炼对硅中的主要杂质都有一定的去除效果，对P、Ca、Al效果较为明显，熔炼时间越长效果越好。

上一条：电子束束流密度对冶金硅中杂质磷的影响

下一条：高校重大突发事件的类别划分