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论文成果
电子束束流密度对冶金硅中杂质磷的影响
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论文类型: 期刊论文
发表时间: 2010-03-20
发表刊物: 材料工程
收录刊物: EI、PKU、ISTIC、CSCD、Scopus
期号: 3
页面范围: 18-21
ISSN号: 1001-4381
关键字: 电子束;冶金硅;去除磷
摘要: 采用电子束设备对多晶硅进行熔炼,设计熔炼功率和时间相同、降束时间不同的三组实验,评价硅中杂质磷在熔炼及凝固过程中的去除效果.根据熔炼后硅锭的杂质分布特点推导出表征硅中杂质磷的去除率公式,经计算得到去除率为80%以上,并由磷的蒸发方程计算出在本实验中当电子束熔炼多晶硅锭的束流密度在235mA之上时,硅中的磷都可以被蒸发去除.

姜大川

副教授   硕士生导师

任职 : 中国产学研合作促进会常务理事

性别: 男

毕业院校:大连理工大学

学位: 博士

所在单位:材料科学与工程学院

学科:材料学

办公地点: 新三束实验室209

联系方式:0411-84709784

电子邮箱:jdc@dlut.edu.cn

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