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论文类型：会议论文
发表时间：2017-07-01
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关键字：钨;杂质;表面形貌
摘要：在磁约束聚变装置中,由于高能氢同位素粒子以及氦灰的轰击,与等离子体接触的材料需要遭受强烈的热辐射,对装置内壁提供充分的保护,并且不会破坏芯部等离子体的运行。钨材料具有低溅射率、高熔点等优点,被认为是下一代聚变装置中偏滤器的首选材料。然而,在使用钨的过程中也发现了其潜在的缺点。实验表明,当温度在1000——2000K,粒子入射能量超过20电子伏时,钨表面会形成纳米级别的绒毛结构[1]。这种结构很脆弱,并且会使钨的热传导性变差,从而加剧了材料表面的侵蚀,使杂质增多。因此,理解氦对钨表面轰击造成的影响,对于偏滤器区域杂质的控制有很重要的意义。本文使用SURO程序[2]研究了经过电荷交换后的中性氦粒子对于不同钨表面轰击的影响。此外,我们也研究了不同氦流量下,钨表面的演化情况。