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个人信息Personal Information
教授
博士生导师
硕士生导师
性别：男
毕业院校：中科院上海硅酸盐研究所
学位：博士
所在单位：物理学院
学科：微电子学与固体电子学. 凝聚态物理
办公地点：大连理工大学科技园C座301-1办公室
联系方式：E-mail:jmbian@dlut.edu.cn.
电子邮箱：jmbian@dlut.edu.cn
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p-GaN/Ga2O3/ZnO/Ga2O3/n-GaN/Sapphire双异质结发光二极管
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论文类型：会议论文
发表时间：2011-11-04
页面范围：77-77
摘要： 采用低压金属有机物化学气相沉积技术成功制备了p-GaN/Ga2O3/ZnO/Ga2O3/n-GaN/Sapphire双异质结发光二极管,在正向直流电压下,测试得到～406nm的紫外电致发光。在相同生长条件下分别制备了p-GaN Ga2 O3/n-GaN/Sap phire和p-GaN/n-GaN/Sapphire发光二极管,前者表现为紫外和可见光发光,紫外发光峰在～420nm,而可见光发光在～650nm,后者紫外发光很弱,以～650ntm处的可见发光为主。基于此实验结果我们认为在双异质结发光二极管中～406nm处的发光是ZnO中的辐射复合发光,Ga2O3层成功起到了保护ZnO和作为载流子阻挡层的双重作用。