|
个人信息Personal Information
教授
博士生导师
硕士生导师
性别：男
毕业院校：中科院上海硅酸盐研究所
学位：博士
所在单位：物理学院
学科：微电子学与固体电子学. 凝聚态物理
办公地点：大连理工大学科技园C座301-1办公室
联系方式：E-mail:jmbian@dlut.edu.cn.
电子邮箱：jmbian@dlut.edu.cn
扫描关注
Ga2O3作载流子阻挡层的n-ZnO/p-GaN异质结发光二极管
点击次数：
论文类型：会议论文
发表时间：2011-11-04
页面范围：34-34
摘要： 我们采用低压MOCVD制作了n-ZnO/p-GaN和n-ZnO/Ga2O3/p-GaN异质结发光二极管。相对于n-ZnO/p-GaN来说，采用Ga2O3做载流子阻挡层的器件表现出良好的紫外发光，且深能级发光受到明显抑制。我们采用了Anderson模型从能级角度解释了这一现象，发现Ga2O3能有效地把电子阻挡在ZnO层，同时p-GaN中的空穴则不受到阻挡，能够穿过该层进入ZnO并在其中发生辐射复合。